高PSRR/低噪聲RF射頻 LDO IC
高PSRR/低噪聲RF射頻 LDO IC概覽
| 型號(hào) | 電路類型 | 最大輸出電流 | 最大輸入電壓 | 最大輸入耐壓 | 輸出電壓 | 精度 | 靜態(tài)電流 | 壓差 | 輸入/出電容 | 特征 | 封裝形式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HM1156 | 帶使能端LDO | 500mA | 6.5V | 8.0V | 1.2/1.5/1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V | 2% | 50uA | 0.22V/Vout=3.3V/200mA | Cin=Cout=1uF | 高紋波抑制比（PSRR)：75dB@1KHz和55dB@1MHz，低至1uF輸入/輸出電容，低壓差：220mV@200mA，帶500mA限流保護(hù)，可用于射頻/高頻無(wú)線等對(duì)紋波干擾要求比較高的應(yīng)用場(chǎng)合 | SOT-25/DFN1*1-4 |